ram基于铜离子非晶二氧化硅的运动

2020-11-19 11:41:18

Dialog半导体已将其导电桥接电阻RAM非易失性存储器(NVM)技术授权给Globalfoundries,但生产计划要等到2022年。

Globalfoundries公司计划在2022年将CBRAM作为其22FDX绝缘体上硅22nm制造工艺的嵌入式NVM选项,并计划将该方案扩展到其他制程。

Facebook首席人工智能科学家Yann LeCun表示, ReRAM技术是嵌入式人工智能的一项关键技术。CBRAM可在恶劣的环境下工作,可用在物联网、5G连接、人工智能、消费者、医疗以及某些工业和汽车应用上。

内存只需要在逻辑过程中添加一个掩码层,但目前还不清楚为什么这个技术需要如此长的时间才能投入生产。Dialog声称,由于它是一种“后端”技术,因此能够相对容易地集成到技术节点中。

CBRAM由Adesto技术公司开发,其原理是基于铜离子通过非晶二氧化硅的运动,以形成交叉点的丝状桥接开关。此技术于2020年9月通过对Adesto的收购转给了Dialog。

Adesto成立于2006年,他们计划开发一种基于Axon Technologies Corp.许可的非易失性存储器。Axon Technologies是亚利桑那州立大学(Arizona State University)的附属公司。该公司是众多竞争对手中唯一将ReRAM推向市场的公司之一,尽管基于该技术的产品销售有些困难,也使用了其他更传统的NVM技术。Dialog半导体负责企业发展高级副总裁Mark Tyndall表示:“该协议不仅为行业带来了最先进的技术,还为Dialog下一代系统芯片采用前沿的CBRAM技术创造了机会。”

通过IP定制,客户可以通过修改CBRAM单元来优化SoC设计,增强安全性,甚至为新的应用程序调整单元。

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