DRAM产能再增 与半导体设备供应商沟通详细细节

2020-11-20 16:46:19

据韩媒报道,业内人士称,三星电子已经在为下一次大规模投资做准备,预计明年上半年每月增加12英寸存储晶圆产能10万片,其中DRAM领域投资5万片产能,集中在平泽P2产线;NAND领域投资5万片产能,分布在西安工厂和平泽P2产线。

除存储产品之外,有消息称三星也在筹备美国德州奥斯汀EUV专用逻辑系统新厂投资计划,投资金额上看100亿美元,月产能约7万片规模。

据悉,三星电子最近正与半导体设备供应商沟通详细细节。

预计2021上半年三星NAND、DRAM月产能将分别增加10%

一般而言每月10万片产能,相当于三星扩增一处厂的产能。例如,三星先前投资西安一厂108亿美元,月产能约10万片12英寸晶圆投入基准。

根据中国闪存市场数据,三星DRAM每月产能约500K,NAND Flash每月产能约460K,则分别增产50K之后,意味着三星明年上半年DRAM和NAND Flash月产能分别增长约10%。

一直以来,三星的投资策略都相对激进,这也是其几十年在行业中的制胜法宝之一。自今年以来,关于三星新厂区进展的消息也不时传出。

根据最新消息,三星西安二期二阶段、平泽P2、P3厂区都将在2021年开始陆续投入量产。此外,SK海力士和美光也有DRAM厂区投入量产。业内人士分析,数据中心、智能手机等市场需求将在明年下半年逐渐好转,供过于求市况有望改善。然而,上半年各厂商陆续扩大产量,也恐将影响存储市场行情复苏。

短期存储市况需求、价格承压,三星再现逆周期操作,着眼长期市况回暖

经过二季度的强劲增长,三季度尽管智能手机销量在iPhone12等新品及5G换机的带动下环比有所回升,加上华为紧急备货,NAND行情有短暂拉升,但是由于数据中心、企业级需求降温明显,存储市况已经难掩颓势,预计四季度也将延续跌势。

根据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价,自四季度以来,消费类NAND Flash指数已经下滑了4.5%。面对Q4市况,三星、西部数据、铠侠、美光等原厂均认为短期价格和需求都面临下滑压力。

就目前市况而言,短期无论是DRAM还是NAND Flash都有不同程度的供过于求,但是长远来看,5G手机带动移动存储,服务器和笔记本驱动SSD需求增加,2021年存储市况有望逐渐恢复增长,尤其是到下半年将有机会重回繁荣景象,长期产业发展乐观的趋势不变。

存储产业集中性日趋增强,三星加大投资,巩固霸主地位

NAND Flash经过几十年的发展,已经形成了由三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士、英特尔六大原厂组成的稳定市场格局。其中,铠侠和西部数据已经保持了将近20年的紧密合作关系,10月份,SK海力士宣布将收购英特尔NAND SSD业务、NAND部件及晶圆业务,以及其在中国大连的NAND闪存制造工厂。

标志着全球闪存市场格局集中性进一步增强。SK海力士收购英特尔NAND闪存业务之后不仅产能得到显著跃升,其技术以及产品研发实力也将得到增强,与三星之间的差距将进一步缩小。

尤其,SK海力士对英特尔大连工厂收购将有利于其扩展中国区业务,三星必然也感受到市场竞争氛围的变化,加上长期看好5G、AI以及云计算带来的存储需求,因此加大投资,巩固自身霸主地位。

根据中国闪存市场数据,二季度三星占存储市场近4成份额,是绝对的霸主地位,但是面临对手的不断强大,加上长期看好市场需求,从未停止扩产的脚步,明年一共三个厂区陆续投入量产,对存储市场犹如“深海炸弹”,具体会引发怎样的连锁反应,让我们拭目以待!

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