据韩媒报道，业内人士称，三星电子已经在为下一次大规模投资做准备，预计明年上半年每月增加12英寸存储晶圆产能10万片，其中DRAM领域投资5万片产能，集中在平泽P2产线;NAND领域投资5万片产能，分布在西安工厂和平泽P2产线。
除存储产品之外，有消息称三星也在筹备美国德州奥斯汀EUV专用逻辑系统新厂投资计划，投资金额上看100亿美元，月产能约7万片规模。
据悉，三星电子最近正与半导体设备供应商沟通详细细节。
预计2021上半年三星NAND、DRAM月产能将分别增加10%
一般而言每月10万片产能，相当于三星扩增一处厂的产能。例如，三星先前投资西安一厂108亿美元，月产能约10万片12英寸晶圆投入基准。
根据中国闪存市场数据，三星DRAM每月产能约500K，NAND Flash每月产能约460K，则分别增产50K之后，意味着三星明年上半年DRAM和NAND Flash月产能分别增长约10%。
一直以来，三星的投资策略都相对激进，这也是其几十年在行业中的制胜法宝之一。自今年以来，关于三星新厂区进展的消息也不时传出。
根据最新消息，三星西安二期二阶段、平泽P2、P3厂区都将在2021年开始陆续投入量产。此外，SK海力士和美光也有DRAM厂区投入量产。业内人士分析，数据中心、智能手机等市场需求将在明年下半年逐渐好转，供过于求市况有望改善。然而，上半年各厂商陆续扩大产量，也恐将影响存储市场行情复苏。
短期存储市况需求、价格承压，三星再现逆周期操作，着眼长期市况回暖
经过二季度的强劲增长，三季度尽管智能手机销量在iPhone12等新品及5G换机的带动下环比有所回升，加上华为紧急备货，NAND行情有短暂拉升，但是由于数据中心、企业级需求降温明显，存储市况已经难掩颓势，预计四季度也将延续跌势。
根据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价，自四季度以来，消费类NAND Flash指数已经下滑了4.5%。面对Q4市况，三星、西部数据、铠侠、美光等原厂均认为短期价格和需求都面临下滑压力。
就目前市况而言，短期无论是DRAM还是NAND Flash都有不同程度的供过于求，但是长远来看，5G手机带动移动存储，服务器和笔记本驱动SSD需求增加，2021年存储市况有望逐渐恢复增长，尤其是到下半年将有机会重回繁荣景象，长期产业发展乐观的趋势不变。
存储产业集中性日趋增强，三星加大投资，巩固霸主地位
NAND Flash经过几十年的发展，已经形成了由三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士、英特尔六大原厂组成的稳定市场格局。其中，铠侠和西部数据已经保持了将近20年的紧密合作关系，10月份，SK海力士宣布将收购英特尔NAND SSD业务、NAND部件及晶圆业务，以及其在中国大连的NAND闪存制造工厂。
标志着全球闪存市场格局集中性进一步增强。SK海力士收购英特尔NAND闪存业务之后不仅产能得到显著跃升，其技术以及产品研发实力也将得到增强，与三星之间的差距将进一步缩小。
尤其，SK海力士对英特尔大连工厂收购将有利于其扩展中国区业务，三星必然也感受到市场竞争氛围的变化，加上长期看好5G、AI以及云计算带来的存储需求，因此加大投资，巩固自身霸主地位。
根据中国闪存市场数据，二季度三星占存储市场近4成份额，是绝对的霸主地位，但是面临对手的不断强大，加上长期看好市场需求，从未停止扩产的脚步，明年一共三个厂区陆续投入量产，对存储市场犹如“深海炸弹”，具体会引发怎样的连锁反应，让我们拭目以待!
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